Магазин оперативной памяти в Украине - TEM.IN.UA +380 67 937-10-40

Kingston DDR3 4GB 1333 MHz (KVR1333D3N9/4G) PC3-10600

Оперативная память Kingston DDR3 4GB 1333 MHz (KVR1333D3N9/4G) PC3-10600 применяется для расширения оперативной памяти стационарных компьютеров (desktop).

Вы можете купить онлайн оперативную память Kingston DDR3 4GB 1333 MHz (KVR1333D3N9/4G) PC3-10600 (RAM) в интернет магазине tem.in.ua по хорошей цене и ускорить работу своего домашнего компьютера.

Частота шины данной планки оперативной памяти - 1333 МГц. Объем оперативной памяти - 4 Гб.

Тип этой памяти - DDR3. DDR переводится как Double Data Rate - удвоение количества передаваемых битов за один такт. Отличие между стандартами DDR, DDR2, DDR3 заключается в частоте работы памяти, интерфейсных доработках, напряжении питания и соответственно скорости.

Для установки в Ваш домашний компьютер новой планки памяти лучше воспользоваться услугами квалифицированных специалистов во избежание поломки устройства.


FEATURES


• JEDEC standard 1.5V (1.425V ~1.575V) Power Supply
• VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin
• 8 independent internal bank
• Programmable CAS Latency: 9, 8, 7, 6
• Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
• Programmable CAS Write Latency(CWL) = 7 (DDR3-1333)
• 8-bit pre-fetch
• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with
starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not
allow seamless read or write [either on the fly using A12 or
MRS]
• Bi-directional Differential Data Strobe
• Internal(self) calibration: Internal self calibration through ZQ
pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
• On Die Termination using ODT pin
• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C,
3.9us at 85°C < TCASE < 95°C
• Asynchronous Reset
• PCB: Height 0.740” (18.75mm), double sided component



SPECIFICATIONS
CL(IDD) 9 cycles
Row Cycle Time (tRCmin) 49.5ns (min.)
Refresh to Active/Refresh 160ns (min.)
Command Time (tRFCmin)
Row Active Time (tRASmin) 36ns (min.)
Power (Operating) 1.410 W*
UL Rating 94 V - 0
Operating Temperature 0o C to 85o C
Storage Temperature -55o C to +100o C


Код KVR1333D3N9/4G
Объем памяти 4 Gb
Применимость Настольные ПК
Пропускная способность шины PC3-10600
Тип памяти DDR3
Частота шины 1333 MHz
Напряжение питания 1,5 В

Написать отзыв

Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.
    Плохо           Хорошо
Защита от роботов
  • Производитель: Kingston
  • Модель: KVR1333D3N9/4G
  • Наличие: Есть в наличии
  • 945 Грн.


Kingston DDR3 4GB 1333 MHz (KVR1333D3N9/4G) PC3-10600 https://tem.in.ua/buy-kingston-memory

Оперативная память Kingston DDR3 4GB 1333 MHz (KVR1333D3N9/4G) PC3-10600 применяется для расширения оперативной памяти стационарных компьютеров (desktop).

Вы можете купить онлайн оперативную память Kingston DDR3 4GB 1333 MHz (KVR1333D3N9/4G) PC3-10600 (RAM) в интернет магазине tem.in.ua по хорошей цене и ускорить работу своего домашнего компьютера.

Частота шины данной планки оперативной памяти - 1333 МГц. Объем оперативной памяти - 4 Гб.

Тип этой памяти - DDR3. DDR переводится как Double Data Rate - удвоение количества передаваемых битов за один такт. Отличие между стандартами DDR, DDR2, DDR3 заключается в частоте работы памяти, интерфейсных доработках, напряжении питания и соответственно скорости.

Для установки в Ваш домашний компьютер новой планки памяти лучше воспользоваться услугами квалифицированных специалистов во избежание поломки устройства.


FEATURES


• JEDEC standard 1.5V (1.425V ~1.575V) Power Supply
• VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin
• 8 independent internal bank
• Programmable CAS Latency: 9, 8, 7, 6
• Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
• Programmable CAS Write Latency(CWL) = 7 (DDR3-1333)
• 8-bit pre-fetch
• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with
starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not
allow seamless read or write [either on the fly using A12 or
MRS]
• Bi-directional Differential Data Strobe
• Internal(self) calibration: Internal self calibration through ZQ
pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
• On Die Termination using ODT pin
• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C,
3.9us at 85°C < TCASE < 95°C
• Asynchronous Reset
• PCB: Height 0.740” (18.75mm), double sided component



SPECIFICATIONS
CL(IDD) 9 cycles
Row Cycle Time (tRCmin) 49.5ns (min.)
Refresh to Active/Refresh 160ns (min.)
Command Time (tRFCmin)
Row Active Time (tRASmin) 36ns (min.)
Power (Operating) 1.410 W*
UL Rating 94 V - 0
Operating Temperature 0o C to 85o C
Storage Temperature -55o C to +100o C


945 TEM.IN.UA